Dr. Alfonso Lastras Martínez

Educación

Universidad Autónoma de San Luís Potosí, México. Grado de Físico, abril de 1971. Tesis: La computación analógica como una herramienta en la enseñanza de las ciencias físicas.

Centro de Investigación del IPN, México. Grado de Maestro en Ciencias (Ingeniería Eléctrica), enero de 1974. Tesis: Heterouniones CdS-CdSe en película delgada.

Tokyo Institute of Technology, Japón. Estudiante de Investigación y trabajo doctoral.

Centro de Investigación del IPN, México. Grado de Doctor en Ciencias (Ingeniería Eléctrica), agosto de 1977. Tesis: Diodos Electroluminiscentes de GaAs-GaAlAs.

Distinciones

Miembro del Sistema Nacional de Investigadores con el Nivel III.
Premio Estatal de Ciencias Francisco Estrada, Gobierno del Estado de San Luís Potosí (1992).
Premio Francisco Mejía Lira 1996, Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y de Vacío.
Premio 1998 de la Academia Mexicana de Optica.
Miembro de la Academia Mexicana de Ciencias (1999).
Miembro de la Academia de Ingeniería (1999).
Distinción “Ocho Columnas de Oro”, Diario Ocho Columnas/Universidad Autónoma de Guadalajara (2002).
Presidente de la Academia Mexicana de Optica (2001-2003).
Premio Universidad a la Investigación Científica, Universidad Autónoma de San Luís Potosí, (2003).

Experiencia profesional

Puesto Actual: Director del Instituto de Investigación en Comunicación Optica de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí.

Puestos anteriores:

1/76 – 12/77 Profesor Auxiliar, Departamento de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación del IPN.
1/78 – 8/78 Profesor Adjunto, Departamento de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación del IPN.
9/78 – 12/80 Profesor Adjunto, Departamento de Física, Centro de Investigación del IPN, México.
1/81 – 1/86 Profesor Titular, Departamento de Física, Centro de Investigación del IPN, México.
1/81 – 12/81 Visiting Associate Professor, Physics Department University of Illinois at Chicago, U.S.A.
1/82 – 6/82 Visiting Research Scholar, Coordinate Science Laboratory, University of Illinois at Urbana- Champaign, U.S.A.
2/83 – 12/90 Profesor-Investigador del Instituto de Física de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí.

Especialidades de trabajo

Propiedades ópticas de semiconductores
Tecnología de materiales y dispositivos semiconductores

Publicaciones

Artículos en revistas periódicas

1) A. Lastras-Martínez, M. Konagai and K. Takahashi, Heterosurface GaAs Ligth Emitting Diodes, International Journal of Electronics, 38, 641 (1975).
2) A. Lastras-Martínez, M. Konagai and K. Takahashi, Heterosurface GaAs Properties of Zn-Diffused SH Heterojunction Light-Emitting Diodes, International Journal of Electronics, 40, 241 (1976).
3) A. Lastras-Martínez, Konagai and K, Takahashi, Observations of Ghost Peaks in GaAs Single- Heterojunction Light-Emitting Diodes, Journal of Applied Physics, 47, 1549 (1976).
4) A. Lastras-Martínez, Internal Quantum Efficiency Measurements for GaAs Light-Emitting Diodes, Journal of Applied Physics, 49, 3565 (1978).
5) A. Lastras-Martínez, and I. Chambouleyron, High Efficiency GaAs- (GaAl)As Light-Emitting Diodes, Solid State Electronics, 22, 155 (1979).
6) A. Lastras-Martínez, Theoretical Calculations of the Minority Carrier Diffusion Length in High-Internal Quantum Efficiency GaAs, Journal of Applied Physics, 50, 4156 (1979).
7) C. Vázquez-López, F. Sánchez-Sinencio, J.S. Helman, J.L. Peña, A. Lastras-Martínez, P.M. Raccah and R. Triboulet, Study of the Interface Changes During the Operation of n-CdTe Electrolyte Solar Cells, Journal of Applied Physics, 50, 5391 (1979).
8) A.Lastras-Martínez, P.M. Raccah and R. Triboulet, “Minority Carrier Diffusion Length Measurements in CdTe by a Photocurrent Technique”, Applied Physics Letters, 36, 469 (1980).
9) J. Dorantes, A. Lastras-Martínez and P.M. Raccah, Measurements of submicron Hole Diffusion Lenghts in GaAs by a Photocurrent Technique, Applied Physics Letters, 38, 442 (1981).
10) A.Lastras-Martínez, U. Lee, J. Zehnder and P.M. Raccah, Electrolyte Electroreflectance Study of Anodization and of Chemomechanical Polish of Hg1-xCdxTe, Journal of Vacuum Science and Technology, 21, 157 (1982).
11) S.A. Barnett, M.A. Ray, A.Lastras-Martínez, B. Kramer, J. E. Greene, P.M. Raccah and L.L. Abels, Growth and Optical Properties of Single Crystal Metastable (GaAs)1-x Ge2x Alloys, Electronics Letters, 18, 891 (1982).
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32) A. Lastras-Martínez, R.E. Balderas-Navarro, P. Cantú and L.F. Lastras-Martínez, Photoreflectance spectroscopy of CdTe (001) around E1 and E1 +D1: linear electro-optic spectrum, Journal of Applied Physics, 86, 2062 (1999).
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34) M.E. Constantino, B. Salazar-Hernández, H. Navarro-Contreras, M.A. Vidal, A. Lastras-Martínez, I. Hernández-Calderón and M. López-López, Stress in GaAs at the heterointerface in ZnSe/GaAs/GaAs: A possible effect of pit filling and difference in thermal expasion, Applied Surface Science, 151, 271 (1999).
35) A. Lastras-Martínez, R.E. Balderas-Navarro and L.F. Lastras-Martínez, Linear electro-optic reflectance modulated spectra of GaAs (001) around E1 and E1 + D 1, Thin Solid Films, 373, 207 (2000).
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51) L. Zamora-Peredo, M. Lopez-Lopez, Z. Rivera, A. Guillen, A.G. Rodriguez-Vazquez, G. Ramirez- Flores, A. Lastras-Martinez y V.H. Mendez-Garcia, Quantum hall effect devices structures based on AlGaAs studied by photoreflectance spectroscopy, Applied Surface Science 238 , 204-208 (2004).
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80) J. V. González-Fernández, R. E. Balderas-Navarro, I. Lara-Velázquez, J. Ortega-Gallegos, R. Díaz de León-Zapata, L. F. Lastras-Martínez and A. Lastras-Martínez, Dots-in-a-Well InGaAs Based Laser Probed by Photoreflectance-Anisotropy Spectroscopy, Digital Object Identifier: 10.1109/IEEEXPO.2009.5422872 (2009). Número de citas a los artículos anteriores en la literatura internacional, excluyendo autocitas: más de 750, incluyendo citas en libros, libros de texto y en la enciclopedia Landolt- Bornstein. Otros artículos
80) S.E. Acosta-Ortiz and A. Lastras-Martínez, Anisotropías ópticas en el espectro de reflectividad de la superficie (001) de GaAs, Acta Científica Potosina, Vol. IX, No. 2, 131 (1988).
81) A. Lastras-Martinez, G. Ramirez-Flores y J.M. Montejano-Carrizales, Una técnica fotoluminiscente para la medición de coeficientes de absorción óptica en semiconductores, Acta Cientifica Potosina, Vol. X. No. 2 , 169 (1988).
82) A. Lastras-Martínez, El Instituto de Investigación en Comunicación Optica de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí: Desarrollo y perspectivas, Editorial Universitaria Potosina, diciembre de 2000. Divulgación científica
83) V. Mishournyi, A. Yu Gorbachev, A. Lastras Martínez e I. C. Hernández del Castillo, Láseres semiconductores basados en heterouniones, Ciencia y Desarrollo, Vol. XXV, No. 144, p18 (1999).
84) V. Mishournyi, A. Yu Gorbachev, A. Lastras Martínez e I. C. Hernández del Castillo, Láseres semiconductores: Materiales para su construcción, Ciencia y Desarrollo, Vol. XXV, No. 149, p25 (1999).
85) V.A. Mishournyi, I.C. Hernández del Castillo, A. Yu. Gorbatchev y A. Lastras-Martínez, Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores, Avance y Perspectiva, 21, 21 (2002).
86) V. Mishournyi, A. Yu Gorbachev y A. Lastras Martínez, Las fibras ópticas: fundamentos físicos, Ciencia y Desarrollo, Vol. XXIX, No. 171 (2003) p. 10.
- De 1990 a 1992 colaborador del diario PULSO de San Luís Potosí con alrededor de 150 artículos de divulgación científica publicados.
- De diciembre de 2008 a la fecha, colaborador del diario PULSO de San Luís Potosí con 90 artículos de divulgación científica publicados

Conferencias invitadas

1) II Simposio Latinoamericano sobre Sistema Amorfos y Desordenados, San Luís Potosí, S.L.P. (mayo de 1986).
2) IX Congreso Anual de la Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y de Vacío, Zacatecas, Zac. (octubre de 1989).
3) International Symposium on Modulation Spectroscopy, San Diego, CA. (marzo de 1990).
4) III Simposio Nacional de Física del Estado Sólido, Tequisquiapan, Qro. (julio de 1990).
5) Congreso Anual de la Sociedad Mexicana de Física, México, D.F. (octubre de 1991).
6) Congreso Anual de la Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y de Vacío, Cancún, QR (1992).
7) CAM 95, Sociedad Canadiense de Física, Quebec, Canadá (abril de 1995).
8) Congreso Anual de la Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y de Vacío, México, D.F. (noviembre de 1995).
9) International Materials Research Congress: Optoelectronic Materials, Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y de Vacío, Cancún, QR (septiembre de 1996).
10) Congreso Anual de la Sociedad Mexicana de Instrumentación, Morelia, Mich. (octubre de 1996).
11) Congreso Anual de la Sociedad Matemática Mexicana, San Luís Potosí, S.L.P. (octubre de 1996).
12) II Simposium de Comunicación Optica, Ensenada, B.C., octubre de 1998.
13) III Workshop on Optoelectronic Materials and their Applications (Including Solar Cells), Oaxaca, Mex., agosto de 2000.
14) Congreso Anual de la Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales, Zacatecas, Zac., septiembre de 2005.
15) Simposio sobre Ciencia de Materiales, CIMC-UNAM, Ensenada, B.C., febrero de 2008.

Tesis dirigidas

Doctorado:

1) Anisotropías Opticas en las Superficies (001) y (110) de GaAs. Tesis doctoral presentada por Sofía Elizabeth Acosta Ortiz para obtener el grado de Doctor en Ciencias en la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (junio de 1988). La tesis recibió el Premio Weizmann 1988 de la Academia de la Investigación Científica, como la mejor tesis doctoral realizada en México en el área de ciencias exactas.
2) Propiedades Opticas de Soluciones Sólidas del Tipo (III-V)1-x(IV2)x. Tesis doctoral presentada por Hernando Ariza Calderón, para obtener el grado de Doctor en Ciencias en la Escuela de Física y Matemáticas del IPN (agosto de l988).
3) Determinación y Caracterización de las Propiedades Opticas de las Fases a y b de GaN Crecido por Epitaxia por Haces Moleculares y por Iones Reactivos. Tesis doctoral presentada por Gustavo Ramírez Flores para obtener el grado de Doctor en Ciencias en la Facultad de Ciencias de la UASLP (diciembre de 1995). Codirigida por H. Navarro-Contreras. La tesis recibió el premio anual de la Sociedad Mexicana de Ciencias de Superficies y de Vacío 1997.
4) Fenómenos inducidos por dislocaciones en el espectro de reflectividad diferencial de GaAs (100). Tesis doctoral presentada por Luís Felipe Lastras Martínez para obtener el grado de Doctor en Ciencias en la Facultad de Ciencias de la UASLP (marzo de 1996). Codirigida por H. Navarro-Contreras.
5) Efectos Excitónicos en el Espectro de Anisotropías Opticas de GaAs. Tesis doctoral presentada por Raúl Eduardo Balderas Navarro para obtener el grado de Doctor en Ciencias en la Facultad de Ciencias de la UASLP (marzo de 1998).
6) Reflectancia diferencial in situ de GaAs, InGaAs y InAs. Tesis doctoral presentada por Carlos Israel Medel Ruiz para obtener el grado de Doctor en Ciencias en la Facultad de Ingeniería de la UASLP. (marzo de 2004). Codirigida por Raú E. Balderas-Navarro.
7) Estudio de las componentes inducidas por deformaciones de bulto y superficie de GaAs (001) en los espectros de reflectancia modulada. Tesis doctoral presentada por José Manuel Flores Camacho para obtener el grado de Doctor en Ciencias en la Facultad de Ciencias de la UASLP (febrero de 2005). Coridigida por Luís Felipe Lastras Martínez.
8) Optical study of Sb-based devices and structures by modulated sprectroscopies. Tesis doctoral presentada por Edgar Armando Cerda Méndez para obtener el grado de Doctor en Ciencias en la Facultad de Ciencias de la UASLP (octubre de 2005). Codirigida por Raú E. Balderas-Navarro.
9) Ismael Lara Velásquez, Crecimiento y caracterización óptica de películas de semiconductoras III-V y su aplicación a la fabricación de láseres semiconductores. Doctorado en Ingeniería Eléctrica. Facultad de Ingeniería (2008). Supervisores: Dr. Alfonso Lastras Martínez y Dr. Raúl Balderas Navarro.
10) Jorge Ortega Gallegos, Espectroscopia de reflectancia diferencial de GaAs (001): aspectos básicos y aplicaciones. Doctorado en Ciencias Aplicadas. Facultad de Ciencias. Fecha de presentación: 13 de octubre de 2008. Supervisores: Dr. Alfonso Lastras Martínez y Dr. Luís Felipe Lastras Martínez.
11) Caracterización de semiconductores II-VI mediante la técnica de reflectancia diferencial, tesis doctoral presentada por Rafael Molina Contreras, Centro de Investigaciones en Óptica, León, Gto. Fecha de presentación: octubre de 2010. Supervisores, Dr. Rafael Espinoza Luna y Dr. Alfonso Lastras Martínez.

Maestría:

1) Diodos Emisores de Luz de (GaAl)As-GaAs. Tesis presentada por Francisco de Anda Salazar para obtener el grado de Maestro en Ciencias en el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN (1978).
2) Diodos Electroluminiscentes de (GaAl)1-xAsx-(GaAl)1-yAsy. Tesis presentada por Arturo Escobosa Echavarría para obtener el grado de Maestro en Ciencias en el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN (1978)
3) Mediciones de Longitudes de Difusión de Portadores Minoritarios en GaAs. Tesis presentada por Jesús Gerardo Dorantes Dávila para obtener el grado de Maestro en Ciencias en el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN (1980).
4) Electrorreflectancia de Soluciones Sólidas de (GaAs)1-x(Ge2)x. Tesis presentada por Hernando Ariza Calderón para obtener el grado de Maestro en Ciencias en el Instituto Politécnico Nacional. (1984).
5) Un espectrómetro para la medición de espectros de anisotropía en semiconductores cúbicos. Tesis de maestría presentada por Luís Felipe Lastras Martínez en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (junio de 1990).
6) Ordenamiento Atómico en Soluciones Sólidas (III)-(IV). Tesis de maestría presentada por Mario Enrique Rodríguez García, en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (octubre de 1991). Coodirigida por M. A. Vidal Borbolla.
7) Estudio de la inversión del potencial superficial en (001) GaAs:Cr inducida por tratamientos térmicos mediante la espectroscopía de anisotropías ópticas. Tesis de maestría presentada por Raúl Eduardo Balderas Navarro en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (noviembre de 1992). Coodirigida por M.A. Vidal-Borbolla.
8) Anisotropías ópticas de en cristales de CdTe. Tesis de maestría presentada por Jorge H. Huerta Ruelas en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (mayo de 1995).
9) Estudio de Reflectancia Diferencial en GaAs(110). Tesis de maestría presentada por Horacio Cantú Quirino en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (agosto de 1997).
10) Determinación de Densidades de Impurezas en GaAs por Medio de la Espectroscopía de Reflectancia Diferencial. Tesis de maestría presentada por Sandra Luz Quiroz Regalado en la Facultad de Ingeniería de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (diciembre de 1997).
11) Espectroscopía de refelctancia Diferencial de InGaAs/GaAs. Tesis de maestría presentada por Anayansi Estrada Hernández en la Facultad de Ingeniería de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (marzo de 1998).
12) Efectos Electro-Opticos Lineales en CdTe Medidos por Reflectancia Diferencial y Fotorreflectancia. Tesis de maestría presentada por Pablo Cantú Alejandro en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (mayo de 1999).
13) Propiedades Opticas de Estructuras GaAs/GaInAs/GaAs. Tesis de maestría presentada por Sandra Luz Gallardo Cruz en la Facultad de Ingeniería de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (junio de 1999).
14) Reflectancia diferencial de InGaAs. Tesis de maestría presentada por Mayra Chavira Rodríguez en la Facultad de Ingeniería de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (diciembre de 2000). Codirigida por Luís Felipe Lastras Martínez
15) Efectos excitónicos en los espectros de Reflectancia Diferencial de pozos cuánticos. Tesis de maestría presentada por Edgar Armando Cerda Méndez en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí. Codirigida por Luís Felipe Lastras Martínez (2001).
16) Reflectancia diferencial de GaAs en el lejano infrarrojo. Tesis de maestría presentada por Jorge Ortega Gallegos en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí. Codirigida por Luís Felipe Lastras Martínez (2003).
17) Carácterización de Heteroestructuras InGaAs/GaAs (001) sintetizadas por MBE. Tesis de maestría presentada por Octavio Villalobos Fernández en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí. Codirigida por Raúl Balderas Navarro y Adriana Gaona Couto (2005).
18) Crecimiento y caracterización de estructuras láser basadas en In.15Ga.85As. Tesis de maestría presentada por José Vulfrano González Fernández en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí. Codirigida por Raúl E. Balderas Navarro (2008).
19) Estudio sobre el autoensamblado de nanoislas de InAs sobre GaAs (631). Tesis de maestría presentada por Cristina Jeovana Zavala Ruiz en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí. Codirigida por Víctor Hugo Méndez García.
20) Crecimiento y caracterización de estructuras láser basadas en In.15Ga.85As. Tesis de maestría presentada por José Vulfrano González Fernández. Facultad de Ciencias. Fecha de presentación: 9 de enero de 2008. Supervisores: Dr. Alfonso Lastras Martínez y Dr. Raúl E. Balderas Navarro.
21) Jesús Elios Almendarez Méndez. Desarrollo de un modelo físico para vidrios de baja emisividad. Maestría en Ciencias Aplicadas, FC-UASLP. Fecha de presentación 16 de diciembre de 2009. Supervisores: Dr. Alfonso Lastras Martínez y Dra. Marcela Mejía Carlos.

Licenciatura

1) Diodos Emisores de Luz de (GaAl)As-GaAs. Tesis presentada por Francisco de Anda Salazar para obtener el grado de Ingeniero Industrial en el Tecnológico de Chihuahua (1977).
2) Instrumentación Electrónica para un Elipsómetro Espectroscópico de Analizador Rotante. Tesis de licenciatura presentada por Patricia Judith Mendoza Sánchez para obtener el grado de Electrónico Instrumentista en la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (abril de 1990).

Otras actividades académicas

Fundador del Instituto de Investigación en Comunicación Optica de la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (octubre de 1990).
Coparticipante en la elaboración del proyecto para establecimiento del programa de Doctorado en Física en la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (junio de 1983).
Coparticipante en la elaboración del proyecto para establecimiento del programa de Maestría y Doctorado en Ingeniería Eléctrica en la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (agosto de 1994).
Coparticipante en la elaboración del proyecto para establecimiento del programa de Maestría y Doctorado en Ciencias Aplicadas en la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (agosto de 1996).
Coparticipante en la elaboración del proyecto para establecimiento del programa de Licenciatura en Ingeniería Física en la Universidad Autónoma de San Luís Potosí (julio de 1993).
Miembro de comités evaluadores de CONACY y SEP.
Organizador del Simposio sobre Películas Delgadas, Congreso Internacional de Materiales, Cancún, OQ (2000-2001). De manera conjunta con el Dr. Raúl Balderas Navarro.
Coorganizador del taller UNESCO ALOP-México (2017). En conjunto con la Dra. Carmen Cisneros.